~不仅实现更低导通电阻，还非常有助于智能手机和可穿戴式设备的小型化与高性能化~
日本知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都）近日面向智能手机和可穿戴式设备等各种要求小型和薄型的电子设备，开发出世界最小※尺寸的晶体管“VML0604”（0.6mm×0.4mm，高度0.36mm）。
本产品已于2013年10月份开始出售样品（样品价格80日元/个），计划于2014年6月份开始以月产1000万个的规模投入量产。前期工序的生产基地为ROHM Co., Ltd.（日本京都总部）和ROHM Apollo Co., Ltd.（日本福冈县），后期工序的生产基地为ROHM Integrated Systems (Thailand) Co., Ltd.（泰国）。
※ 截至2014年3月10日ROHM调查数据
＜背景＞
近年来，在以智能手机和可穿戴式设备为首的电子设备市场，配套设备的小型化与高性能化日益发展，对于所搭载的电子元器件的小型化、薄型化要求也日益强烈。
而另一方面，晶体管不仅具有接合的稳定性、封装的加工精度等技术性课题，而且因所搭载元件尺寸受限导致导通电阻上升，因此，产品阵容一直局限于20V耐压的产品。
＜特点＞
1. 实现世界最小尺寸，安装面积大幅缩减
此次，通过新型封装和元件的新工艺，ROHM成功开发出世界最小尺寸的晶体管“VML0604”（0.6mm×0.4mm，高度0.36mm）。
在封装技术方面，通过优化内部结构，并导入高精度的封装加工技术，与以往最小晶体管封装VML0806（0.8mm×0.6mm，高度0.36mm）相比，安装面积缩减了50％。作为晶体管封装，已达到世界最小尺寸。
该新型封装预计将会扩大应用到小信号MOSFET产品，将为各种配套产品进一步节省空间、实现高密度化做出贡献。
2. 确保引脚间隔，安装性良好
随着小型化的日益发展，产品在PCB板上的安装越来越难。此次通过确保引脚间隔0.2mm，保持了良好的安装性。
3. 在小型化基础上，实现世界最高级别的低导通电阻
由于封装的小型化，导致可搭载的元件尺寸受到限制。元件的尺寸很小时，导通电阻就非常高，往往很难保持以往的小信号晶体管的性能。
但是，本产品的元件采用了新工艺，从而作为30V耐压产品的超小型晶体管实现了世界最高性能※的低导通电阻0.25Ω（VGS=4.5V时）。
4. 新增 40～60V耐压产品，实现丰富的产品阵容
由于比以往产品耐压更高也可保持低导通电阻，因此，新增耐压达40～60V的产品，完善了产品阵容。
＜术语解说＞
・MOSFET
以高速开关为特点的晶体管的一种。
・导通电阻
给栅极－源极间施加任意电压时的漏极－源极之间的电阻值。该值越小，电流越容易流通，损耗越小。
