科锐展示业界首款用于卫星通信的 C 波段 GaN HEMT 单片式微波集成电路（MMIC）高功率放大器
2011 年 6 月 22 日，北京讯 — 科锐公司（纳斯达克：CREE）日前在巴尔的摩举行的 2011 年 IEEE 国际微波研讨会上展出业界首款面向卫星通信应用的 GaN HEMT MMIC 高功率放大器 (HPA) 。与现有商用 GaAs MESFET 晶体管或基于行波管的放大器相比，该产品可大幅提高性能。
科锐无线射频（RF） 总监 Jim Milligan 指出：“这是首款可为卫星通信应用提供全新高性能的 GaN MMIC 产品，因为我们的 GaN HEMT 技术可实现出色的线性效率与功率增益。我们预计 GaN 产品不但将对热管理技术产生巨大影响，还可使商用及军用卫星通信系统的尺寸更小、重量更轻。”
CMPA5585025F MMIC 采用多引脚陶瓷/金属封装 (1”x 0.38”) ，是一款 50 欧姆 (Ω) 、25 瓦特峰值功率的双级 GaN HEMT 高功率放大器 (HPA) 。MMIC 的工作瞬时带宽为 5.8 GHz 至 8.4 GHz，提供 15 瓦特线性功率（<-30 dBc 的相邻频道功率) 与 20 dB 功率增益。在该线性运行功率下，功率附加效率为 25%。
该器件采用小型封装，可减小晶体管尺寸与重量，降低热管理的成本，从而实现出色的线性效率（比传统解决方案高 60%）。此外，该器件运行时需要的工作电压（28 伏特）大于 GaAs MESFET（12 伏特），因此晶体管还支持更低流耗，可降低功率分布损耗，实现更高的整体系统效率。
CMPA5585025F 现已开始提供样片，并将于 2011 年夏天投入量产。如欲了解更多产品详情，敬请访问：www.cree.com/rf。
关于科锐（CREE）
科锐成立于1987年，是美国上市公司（1993年，纳斯达克：CREE），为世界化合物半导体材料、外延、芯片、封装与LED照明解决方案为一体的著名制造商和行业领先者。科锐 LED 照明产品的优势体现在氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）等方面独一无二的材料技术与先进的白光技术，拥有1,100多项美国专利和2,800多项国际专利，使得科锐LED产品始终处于世界领先水平。科锐照明级大功率LED，具有光效高、色点稳、寿命长等优点。科锐在向客户提供高质量、高可靠发光器件产品的同时也向客户提供成套的LED照明解决方案。
